Thông số kỹ thuật chính:
Dung lượng: 256GB (TLC 3D NAND thế hệ 9 – 276 lớp, công nghệ mới nhất của Micron năm 2024-2025)
Giao diện: PCIe Gen4 x4 NVMe 2.0
Tốc độ đọc tuần tự: Lên đến 5.000 MB/s
Tốc độ ghi tuần tự: Lên đến 2.500 – 3.000 MB/s (tùy workload)
IOPS ngẫu nhiên: Đọc ~370.000, Ghi ~500.000
Thiết kế: DRAMless (không có DRAM cache riêng) nhưng sử dụng HMB (Host Memory Buffer) và cache SLC động nên hiệu suất vẫn rất tốt, đặc biệt cho sử dụng hàng ngày, game, office.
Tiêu thụ điện: Rất thấp (~3-5W), mát mẻ, phù hợp laptop mỏng và thiết bị di động.
Độ bền: TBW (Total Bytes Written) khoảng 150-200 TBW cho bản 256GB.
Firmware: 26500101 (như trong ảnh)
Xuất xứ: Malaysia (Product of Malaysia)
Form factor: M.2 2230 (single-sided, chỉ có chip một mặt, rất mỏng)